高灵敏雪崩型日盲探测器件制备研究
理学院
Fabrication of high-sensitive avalanche solar-blind photodetector
臭氧层对200-280 纳米波长范围内的紫外辐射区有着强烈吸收作用,因此,工作在这一波段的日盲探测技术具有抗环境干扰和全天候工作的特点,是近年来新兴发展起来的军民两用光电探测技术,可应用于臭氧层空洞检测、高压输运线老化电晕检测、森林火情警报、警电网安全监测、船舶破雾引航、海上搜救、生物医疗、紫外通信等众多领域。超宽禁带半导体Ga2O3由于其带宽(Eg=~4.9eV)正好对应日盲区,被认为是一种天生的日盲探测材料,基于Ga2O3材料的日盲探测器件的研发近年来也是国内外研究的热点。目前,针对国家重大战略要求中对日盲紫外探测高灵敏度的需求,突破传统本征半导体探测极限性能,需要利用雪崩效应显著提高光子的捕获和光电耦合效率。因此,本创新课题利用高真空生长技术,通过生长高质量宽禁带半导体材料异质结,研发高灵敏雪崩型日盲探测器件。