Bi3Se3/PVDF纳米复合薄膜电磁干扰屏蔽性能
理学院
Electromagnetic interference shielding properties of Bi2Se3/PVDF nanocomposite films
从1G到5G,随着通信技术和物联网的不断发展,在科技发展给我们的生活带来便捷的同时,电磁波频段占用率越来越高,导致通讯设备间产生电磁波干扰(EMI)的可能性增大,由此引发通讯安全性和稳定性的问题;此外,电子设备的广泛使用也带来了电磁波辐射,电磁辐射不仅会削弱人体的免疫系统,还会破坏DNA导致基因突变,从而对人体造成危害。在军事应用方面,EMI屏蔽仍面临许多挑战,比如材料对电磁波过高的反射和较低的吸收不适用于隐形技术。因此,寻找合适的电磁干扰屏蔽材料,降低电磁波带来的危害便成为研究者需要面临的挑战。
硒化铋,既是优良的热电材料,也是一种拓扑绝缘体,因为其极佳的热电性能得到广泛研究。通过阅读已有文献发现,硒化铋纳米板和PVDF基体混合后,在硒化铋容积率20%以上时,复合材料的介电损耗和导电性表现极佳,有潜力作为EMA和EMI屏蔽材料;而目前尚未有涉及硒化铋在EMI屏蔽领域的研究。因此,为了填补这一研究的空白,本项目将基于硒化铋纳米板和PVDF混合形成的纳米复合物薄膜,探索硒化铋含量对其EMI屏蔽性能的影响及机理,开拓硒化铋在EMI屏蔽领域的应用前景。