定级失败 创新训练 510电子与通信技术 理论研究-科学技术未定级

本项目目标为掌握Ga2O3薄膜的成相规律，实现各晶型Ga2O3薄膜的可控生长。 为获得亚稳相（α,γ,δ和ε相）Ga2O3薄膜需要考虑衬底匹配、晶格应力、界面能、生长过程中的热力学和生长动力学等多种因素。从科学层面讲，本项目的关键在于如何稳定各亚稳相Ga2O3，特别是α,γ以及 ε相。我们希望第一性原理的计算能够给出一些方向性的指引，正确理解各晶型Ga2O3热力学稳定性，掌握各晶型Ga2O3薄膜的成相规律。然后通过不断优化薄膜生长工艺，获得稳定的Ga2O3高质量薄膜。从技术层面讲，我们需要从衬底和薄膜材料两个方面加以研究，从而获得Ga2O3结构和云母界面性能匹配的生长界面。所以，如何设计并获得有利于Ga2O3和韵母界面形成是关键的技术问题。通过选择衬底和改变生长条件等手段，获得Ga2O3结构和界面性能匹配的生长条件，进而获得稳定的Ga2O3薄膜，实现柔性Ga2O3薄膜的可控生长。